172nm光刻及相关半导体加工工艺(Lithography Related)
主要特性
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- 等离子体与样品直接接触,清洗效果好
- 气体消耗量低、节约成本
- 无需真空腔体和真空泵
- 高性价比
- 可以选用多种气体, O2,N2,Ar
- 自动清洗系统
- 等离子室优化设计


- 等离子体与样品直接接触,清洗效果好
- 气体消耗量低、节约成本
- 无需真空腔体和真空泵
- 高性价比
- 可以选用多种气体, O2,N2,Ar
- 自动清洗系统
- 等离子室优化设计

Specification
ITEM Specification Q’ty Remark
Dimension (mm) Approx. 800(W) x800(D) x 1,600(H) 1
Product Size /
Loading direction
Work max size 200*250mm
( 250mm Width direction. )
Plasma Method 1
Process Gas
Ar (Argon pu, rity more than 99.9%, 0~40 lpm)
O2 (Oxygen purity more than 99.9%, 0~200 sccm)
1
Process Spec. 1
Process Gap Min1~Max.4mm 1 After test.
Process Speed 10mm/s ~100mm/s ( 0.6m/min ~6m/min ) 1
Main Frame & Cover AL Profile, AL6061, SS41 1
AP Plasma Unit
-AP Plasma Module :
Electrode Headset : 200mm
Metal Body : Anodized Al
Gas : MFC (Ar, O2/N2)
-Power Supply :max. 300W
1
: 180~250W / 200mm
Use of RF power
in the process
Y-axis Un it 2
Control U nit
Step Motor
PLC
Drive, Touch monitor
Control
1
Machine Weight 150Kg
220V, phase 20 A (groun d)
Plamsa Head Manual height control
Auto actuator step motor operation
After plasma processs / Contact angle check
The product size can be
changed.
Power Specifications
Plasma treatment while transferring
the lower product.
(the appropriate Heigh 3m)



客服电话
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8610-53351705
18301065540
电子邮件
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sales@hua-tek.com
公司地址
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北京市通州区北皇木厂街1号院2号楼18层1807